以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶
半導體材料，憑借耐高溫、抗高壓、開關速度快、效率高、節能、壽命長等特點，近年來被國內外相關企業持續關注和布局，相信這股熱潮將會一路延續到2023年。
性能優越的氧化鎵
氧化鎵是一種超寬禁帶材料，超越了目前已經商用器件的禁帶寬度，達到了4.2電子伏特以上，也有人稱之為第四代半導體材料。
氧化鎵的優勢不僅是材料性能高，更重要的是成本較低。2019年有研究結論提出，氧化鎵的制造成本較硅略有提高，和碳化硅相比僅有它的三分之一。當然這一點目前還做不到，因為目前氧化鎵晶圓的研究和生產仍然處于早期階段。
多國爭搶15億美元市場
氧化鎵在近10年左右開始受到產業關注，短短4至5年時間就已經出現了高質量的襯底和外延片，發展速度十分驚人。有分析師預測，到2030年，氧化鎵功率半導體市場規模將達15億美元。
中國科學院院士郝躍表示，氧化鎵材料是最有可能在未來大放異彩的材料之一，在未來的10年左右，氧化鎵器件有可能成為有競爭力的電力電子器件，會直接與碳化硅器件競爭。
氧化鎵功率器件的應用進展
1）氧化鎵基肖特基二極管
肖特基勢壘高度對于肖特基二極管而言是十分重要的，高肖特基勢壘帶來低泄露電流，但開態壓降隨之增加，反之亦然，需根據具體應用場景來選擇合適的勢壘高度。
（2）氧化鎵基場效應晶體管
對于場效應晶體管，其發展進度落后于肖特基二極管。更低的外延層摻雜濃度和更高的遷移率未來將會有所突破。另外先進的耐壓技術例如高K、電荷平衡、異質結構等會帶來更為顯著的性能提升。此外，還應開發兼顧電流驅動能力和增強型的橫向功率器件。
不可否認，氧化鎵具有寬禁帶半導體獨特的性能優勢。目前，單晶和外延已經出現突破的曙光，高性能的原型器件已經實現，散熱不成問題。作為智慧高效能電力電子器件，氧化鎵潛力無限。
